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摘要

基于半导体物理和IGBT基本结构，通过合理简化与理论推导，建立了电压变化率模型，对电压变化率的影响因素与温度特性进行了深入研究，得出电压变化率随电压或电流的增大，线性增大；随结温增大，线性减小. 基于电压变化率模型，建立了IGBT电压变化率结温预测模型. 仿真和实验结果验证了模型的正确性与准确性. 对实现IGBT结温在线监测、提高IGBT模块及电力电子装置可靠性具有一定的理论意义和应用价值.

关键词:

Based on semiconductor physics and the essential structure of insulated gate bipolar transistor (IGBT), the model of dV_{CE}/\d t is established through reasonable simplification and theoretical derivation. The influencing factors and temperature characteristics of dV_{CE}/\d t are studied in depth. It is concluded that dV_{CE}/\d t increases linearity with the increase of voltage or current, and decreases with the increase of junction temperature also linearly. On the basis of the model for dV_{CE}/\d t, the prediction model of junction temperature is established. Results of simulations and experiments verify the correctness and accuracy of the models. It is significant in theory and practical application for realizing IGBT junction temperature monitoring on-line and improving the reliability of IGBT module and power electronic equipment.

Keywords:

carrier concentration/
carrier mobility/
rate of voltage change/
prediction model of junction temperature

作者及机构信息

1.

基金项目:国家自然科学基金面上项目（批准号：51277178）、国家重点基础研究发展计划973 项目（批准号：2013CB035601）和国家优秀青年基金（批准号：51307176）资助的课题.

Authors and contacts

1.

Funds:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 51277178), the National Key Basic Research Program of China (Grant No. 2013CB035601), and the National Science Foundation Program for Excellent Young Scientists of China (Grant No. 51307176).

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[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
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[12]
[13]
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[15]
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[33]
[34]
[35]
[36]
[37]
[38]
[39]
[40]
[41]

[1]	张冷, 沈宇皓, 汤朝阳, 吴孔平, 张鹏展, 刘飞, 侯纪伟.单轴应变对Sb₂Se₃空穴迁移率的影响. 必威体育下载 , 2024, 73(11): 117101.doi:10.7498/aps.73.20240175
[2]	张冷, 张鹏展, 刘飞, 李方政, 罗毅, 侯纪伟, 吴孔平.基于形变势理论的掺杂计算Sb₂Se₃空穴迁移率. 必威体育下载 , 2024, 73(4): 047101.doi:10.7498/aps.73.20231406
[3]	周展辉, 李群, 贺小敏.AlN/β-Ga₂O₃异质结电子输运机制. 必威体育下载 , 2023, 72(2): 028501.doi:10.7498/aps.72.20221545
[4]	李梦荣, 应鹏展, 李勰, 崔教林.采用熵工程技术改善SnTe基材料的热电性能. 必威体育下载 , 2022, 71(23): 237302.doi:10.7498/aps.71.20221247
[5]	底琳佳, 戴显英, 宋建军, 苗东铭, 赵天龙, 吴淑静, 郝跃.基于锡组分和双轴张应力调控的临界带隙应变Ge1-xSnx能带特性与迁移率计算. 必威体育下载 , 2018, 67(2): 027101.doi:10.7498/aps.67.20171969
[6]	谭骥, 朱阳军, 卢烁今, 田晓丽, 滕渊, 杨飞, 张广银, 沈千行.绝缘栅双极型晶体管感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究. 必威体育下载 , 2016, 65(15): 158501.doi:10.7498/aps.65.158501
[7]	吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇, 殷树娟, 周春宇.单轴应变SiNMOSFET源漏电流特性模型. 必威体育下载 , 2015, 64(19): 197301.doi:10.7498/aps.64.197301
[8]	齐佳红, 胡建民, 盛延辉, 吴宜勇, 徐建文, 王月媛, 杨晓明, 张子锐, 周扬.电子辐照下GaAs/Ge太阳电池载流子输运机理研究. 必威体育下载 , 2015, 64(10): 108802.doi:10.7498/aps.64.108802
[9]	苏青峰, 刘长柱, 王林军, 夏义本.不同织构CVD金刚石膜的Hall效应特性. 必威体育下载 , 2015, 64(11): 117301.doi:10.7498/aps.64.117301
[10]	白敏, 宣荣喜, 宋建军, 张鹤鸣, 胡辉勇, 舒斌.压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴散射与迁移率模型. 必威体育下载 , 2015, 64(3): 038501.doi:10.7498/aps.64.038501
[11]	王健, 谢自力, 张荣, 张韵, 刘斌, 陈鹏, 韩平.InN的光致发光特性研究. 必威体育下载 , 2013, 62(11): 117802.doi:10.7498/aps.62.117802
[12]	董海明.低温下二硫化钼电子迁移率研究. 必威体育下载 , 2013, 62(20): 206101.doi:10.7498/aps.62.206101
[13]	王红培, 王广龙, 喻颖, 徐应强, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐.内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析. 必威体育下载 , 2013, 62(20): 207303.doi:10.7498/aps.62.207303
[14]	於黄忠.空间电荷限制电流法测量共混体系中空穴的迁移率. 必威体育下载 , 2012, 61(8): 087204.doi:10.7498/aps.61.087204
[15]	骆杨, 段羽, 陈平, 臧春亮, 谢月, 赵毅, 刘式墉.利用空间电荷限制电流方法确定三(8-羟基喹啉)铝的电子迁移率特性初步研究. 必威体育下载 , 2012, 61(14): 147801.doi:10.7498/aps.61.147801
[16]	张金风, 王平亚, 薛军帅, 周勇波, 张进成, 郝跃.高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究. 必威体育下载 , 2011, 60(11): 117305.doi:10.7498/aps.60.117305
[17]	汪润生, 孟卫民, 彭应全, 马朝柱, 李荣华, 谢宏伟, 王颖, 赵明, 袁建挺.有机半导体的物理掺杂理论. 必威体育下载 , 2009, 58(11): 7897-7903.doi:10.7498/aps.58.7897
[18]	代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹, 胡媛.纳米MOSFET迁移率解析模型. 必威体育下载 , 2006, 55(11): 6090-6094.doi:10.7498/aps.55.6090
[19]	许雪梅, 彭景翠, 李宏建, 瞿述, 罗小华.载流子迁移率对单层有机发光二极管复合效率的影响. 必威体育下载 , 2002, 51(10): 2380-2385.doi:10.7498/aps.51.2380
[20]	李志锋, 陆卫, 叶红娟, 袁先璋, 沈学础, G.Li, S.J.Chua.GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究. 必威体育下载 , 2000, 49(8): 1614-1619.doi:10.7498/aps.49.1614

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