- 必威体育下载

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

摘要

采用氧化硅材料构建了Cu/SiOx/Al的三明治结构阻变存储器件. 用半导体参数分析仪对其阻变特性进行测量，结果表明其具有明显的阻变特性，并且通过调节限制电流，得到了四个稳定的阻态，各相邻阻态的电阻比大于10，并且具有良好的数据保持能力. 在不同温度条件下对各个阻态进行电学测试及拟合，明确了不同阻态的电子传输机理不尽相同：阻态1和阻态2为欧姆传导机制，阻态3为P-F（Pool-Frenkel）发射机制，阻态4 为肖特基发射机制. 根据电子传输机制，建立了铜细丝导电模型并对Cu/SiOx/Al阻变存储器件各个阻态的电致阻变机制进行解释.

关键词:

Abstract

In this paper, resistive switching device based on Cu/SiOx/Al structure is fabricated to examine its resistive switching characteristics and explore its resistive switching mechanisms. By adjusting limiting current, four stable resistance states are obtained. All of the resistive ratios between adjacent resistance states are over than 10. Moreover, the retention data of these four states at room temperature keep stable up to 1000 s. The temperature-dependent measurement and I-V curves fitting results show that the resistive switching mechanisms of the four states are different: resistance states 1 and 2 are due to Ohmic conduction mechanism, resistance state 3 is due to Pool-Frenkel emission, and resistance state 4 is due to Schottky emission mechanism. Subsequently, a resistive switching model for Cu/SiOx/Al structure is proposed.

Keywords:

作者及机构信息

1.

基金项目:国家自然科学基金（批准号：61274113，11204212）、教育部新世纪优秀人才支持计划（批准号：NCET-11-1064）、天津市科技计划项目（批准号：13JCYBJC15700，13JCZDJC26100）和天津市高等学校科技发展基金计划（批准号：20100703，20130701）资助的课题.

Authors and contacts

1.

Funds:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61274113, 11204212), the Program for New Century Excellent Talents in University, China (Grant No. NCET-11-1064), the Tianjin Natural Science Foundation, China (Grant Nos. 13JCYBJC15700, 13JCZDJC26100), and the Tianjin Science and Technology Developmental Funds of Universities and Colleges, China (Grant Nos. 20100703, 20130701).

参考文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]

[1]	柯庆, 代月花.电化学金属化阻性存储器导电细丝生长中的离子动力学研究. 必威体育下载 , 2023, 72(24): 248501.doi:10.7498/aps.72.20231232
[2]	李伟, 朱慧文, 孙彤, 屈文山, 李建刚, 杨辉, 高志翔, 施薇, 魏斌, 王华.基于1, 2 - 二氰基苯/聚合物复合材料的高耐久性有机阻变存储器. 必威体育下载 , 2023, 72(4): 048501.doi:10.7498/aps.72.20221507
[3]	王英, 黄慧香, 黄香林, 郭婷婷.光电协同调控下HfO_x基阻变存储器的阻变特性. 必威体育下载 , 2023, 72(19): 197201.doi:10.7498/aps.72.20230797
[4]	周正, 黄鹏, 康晋锋.基于非挥发存储器的存内计算技术. 必威体育下载 , 2022, 71(14): 148507.doi:10.7498/aps.71.20220397
[5]	朱茂聪, 邵雅洁, 周静, 陈文, 王志青, 田晶.铌掺杂锆钛酸铅铁电薄膜调控CuInS₂量子点的阻变性能. 必威体育下载 , 2022, 71(20): 207301.doi:10.7498/aps.71.20220911
[6]	龚少康, 周静, 王志青, 朱茂聪, 沈杰, 吴智, 陈文.尺寸调控SnO₂量子点的阻变性能及调控机理. 必威体育下载 , 2021, 70(19): 197301.doi:10.7498/aps.70.20210608
[7]	曾凡菊, 谭永前, 唐孝生, 张小梅, 尹海峰.非铅卤素钙钛矿及其阻变性能研究进展. 必威体育下载 , 2021, 70(15): 157301.doi:10.7498/aps.70.20210065
[8]	郭家俊, 董静雨, 康鑫, 陈伟, 赵旭.过渡金属元素X(X=Mn,Fe,Co,Ni)掺杂对ZnO基阻变存储器性能的影响. 必威体育下载 , 2018, 67(6): 063101.doi:10.7498/aps.67.20172459
[9]	张志超, 王芳, 吴仕剑, 李毅, 弭伟, 赵金石, 张楷亮.氧分压对Ni/HfOx/TiN阻变存储单元阻变特性的影响. 必威体育下载 , 2018, 67(5): 057301.doi:10.7498/aps.67.20172194
[10]	代月花, 潘志勇, 陈真, 王菲菲, 李宁, 金波, 李晓风.基于HfO2的阻变存储器中Ag导电细丝方向和浓度的第一性原理研究. 必威体育下载 , 2016, 65(7): 073101.doi:10.7498/aps.65.073101
[11]	蒋然, 杜翔浩, 韩祖银, 孙维登.Ti/HfO2/Pt阻变存储单元中的氧空位聚簇分布. 必威体育下载 , 2015, 64(20): 207302.doi:10.7498/aps.64.207302
[12]	刘东青, 程海峰, 朱玄, 王楠楠, 张朝阳.忆阻器及其阻变机理研究进展. 必威体育下载 , 2014, 63(18): 187301.doi:10.7498/aps.63.187301
[13]	任圣, 马忠元, 江小帆, 王越飞, 夏国银, 陈坤基, 黄信凡, 徐骏, 徐岭, 李伟, 冯端.SiOx（x=1.3）薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究. 必威体育下载 , 2014, 63(16): 167201.doi:10.7498/aps.63.167201
[14]	韦晓莹, 胡明, 张楷亮, 王芳, 刘凯.氧化钒薄膜的微结构及阻变特性研究. 必威体育下载 , 2013, 62(4): 047201.doi:10.7498/aps.62.047201
[15]	容佳玲, 陈赟汉, 周洁, 张雪, 王立, 曹进.基于ITO/聚甲基丙烯酸甲酯/Al的有机阻变存储器SPICE仿真. 必威体育下载 , 2013, 62(22): 228502.doi:10.7498/aps.62.228502
[16]	杨金, 周茂秀, 徐太龙, 代月花, 汪家余, 罗京, 许会芳, 蒋先伟, 陈军宁.阻变存储器复合材料界面及电极性质研究. 必威体育下载 , 2013, 62(24): 248501.doi:10.7498/aps.62.248501
[17]	谢子健, 胡作启, 王宇辉, 赵旭.相变存储单元RESET多值存储过程的数值仿真研究. 必威体育下载 , 2012, 61(10): 100201.doi:10.7498/aps.61.100201
[18]	张祖发, 张胤, 冯洁, 蔡燕飞, 林殷茵, 蔡炳初, 汤庭鳌, Bomy Chen.基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究. 必威体育下载 , 2007, 56(7): 4224-4228.doi:10.7498/aps.56.4224
[19]	赖云锋, 冯洁, 乔保卫, 凌云, 林殷茵, 汤庭鳌, 蔡炳初, 陈邦明.氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能. 必威体育下载 , 2006, 55(8): 4347-4352.doi:10.7498/aps.55.4347
[20]	孙劲鹏, 王太宏.基于库仑阻塞原理的多值存储器. 必威体育下载 , 2003, 52(10): 2563-2568.doi:10.7498/aps.52.2563

计量

文章访问数:5764
PDF下载量:930
被引次数:0

搜索

留言板

Multilevel switching mechanism for resistive random access memory based on Cu/SiOx/Al structure

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

Multilevel switching mechanism for resistive random access memory based on Cu/SiOx/Al structure

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们