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摘要

在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge, ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化, 并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型, 所建模型准确地预估了不同衬底结构上源极扩散到衬底接触扩散间距变化对触发电压Vt1的影响. 栅接地n型金属氧化物半导体器件的击穿特性结果表明, 所提出的衬底电阻模型与实验结果符合良好, 且仿真时间仅为器件仿真软件的7%, 为ESD保护器件版图优化设计提供了方法支持.

关键词:

Abstract

The current controlled voltage source model of substrate parasitic resistance of deep sub-micron electrostatic discharge protection device is optimized by considering the effect of conductance modulation. A compact macro-model of substrate resistance is presented according to the characteristics of lightly doped bulk substrate and heavily doped substrate with a lightly doped epitaxial layer, which is scalable with the layout dimension. The experimental model parameters of devices with various spaces between source and substrate diffusion can be extracted by device simulation. The breakdown behavior of gate grounded negative-channel metal oxide semiconductor shows the effectiveness of this method. In the meantime, the simulation time-consuming of the compact model is only 7% that of the device simulation software.

Keywords:

gate grounded negative channel metal oxide semiconductor/
electrostatic discharge/
substrate resistance model

作者及机构信息

1.

基金项目:国防预研究基金(批准号:9140A23060111)、中央高校基本科研业务费(批准号:K50510250002)和陕西省科技统筹创新工程计划(批准号:2011KTCQ01-19)资助的课题.

Authors and contacts

1.

Funds:Project supported by the National Defense Pre-Research Foundation of China (Grant No. 9140A23060111), the Fundamental Research Fund for the Central Universities, China (Grant No. K50510250002), and the Key Science and Technology Special Project of Shaanxi Province, China (Grant No. 2011KTCQ01-19).

参考文献

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[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]

[1]	苏乐, 王彩琳, 谭在超, 罗寅, 杨武华, 张超.功率金属-氧化物半导体场效应晶体管静电放电栅源电容解析模型的建立. 必威体育下载 , 2024, 73(11): 118501.doi:10.7498/aps.73.20240144
[2]	李明珠, 蔡小五, 曾传滨, 李晓静, 李多力, 倪涛, 王娟娟, 韩郑生, 赵发展.高温对MOSFET ESD防护器件维持特性的影响. 必威体育下载 , 2022, 71(12): 128501.doi:10.7498/aps.71.20220172
[3]	马群刚, 王海宏, 张盛东, 陈旭, 王婷婷.InGaZnO薄膜晶体管背板的层间Cu互连静电保护研究. 必威体育下载 , 2019, 68(15): 158501.doi:10.7498/aps.68.20190646
[4]	辛艳辉, 刘红侠, 王树龙, 范小娇.对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型. 必威体育下载 , 2014, 63(14): 148502.doi:10.7498/aps.63.148502
[5]	白玉蓉, 徐静平, 刘璐, 范敏敏, 黄勇, 程智翔.高k栅介质小尺寸全耗尽绝缘体上锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管漏源电流模型. 必威体育下载 , 2014, 63(23): 237304.doi:10.7498/aps.63.237304
[6]	刘翔宇, 胡辉勇, 张鹤鸣, 宣荣喜, 宋建军, 舒斌, 王斌, 王萌.具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究. 必威体育下载 , 2014, 63(23): 237302.doi:10.7498/aps.63.237302
[7]	范敏敏, 徐静平, 刘璐, 白玉蓉, 黄勇.高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计. 必威体育下载 , 2014, 63(8): 087301.doi:10.7498/aps.63.087301
[8]	辛艳辉, 刘红侠, 王树龙, 范小娇.堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管二维模型. 必威体育下载 , 2014, 63(24): 248502.doi:10.7498/aps.63.248502
[9]	周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 王冠宇.应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型. 必威体育下载 , 2014, 63(1): 017101.doi:10.7498/aps.63.017101
[10]	陈海峰.反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究. 必威体育下载 , 2013, 62(18): 188503.doi:10.7498/aps.62.188503
[11]	曹磊, 刘红侠, 王冠宇.异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究. 必威体育下载 , 2012, 61(1): 017105.doi:10.7498/aps.61.017105
[12]	胡辉勇, 雷帅, 张鹤鸣, 宋建军, 宣荣喜, 舒斌, 王斌.Poly-Si1-xGex栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应管栅耗尽模型研究. 必威体育下载 , 2012, 61(10): 107301.doi:10.7498/aps.61.107301
[13]	高著秀, 李宏伟, 蔡明辉, 刘丹秋, 黄建国, 韩建伟.超高速空间微小碎片撞击充电材料诱发的放电. 必威体育下载 , 2012, 61(3): 039601.doi:10.7498/aps.61.039601
[14]	刘玉栋, 杜磊, 孙鹏, 陈文豪.静电放电对功率肖特基二极管I-V及低频噪声特性的影响. 必威体育下载 , 2012, 61(13): 137203.doi:10.7498/aps.61.137203
[15]	李斌, 刘红侠, 袁博, 李劲, 卢凤铭.应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型. 必威体育下载 , 2011, 60(1): 017202.doi:10.7498/aps.60.017202
[16]	吴铁峰, 张鹤鸣, 王冠宇, 胡辉勇.小尺寸应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型. 必威体育下载 , 2011, 60(2): 027305.doi:10.7498/aps.60.027305
[17]	何宝平, 姚志斌.互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究. 必威体育下载 , 2010, 59(3): 1985-1990.doi:10.7498/aps.59.1985
[18]	黄建国, 韩建伟.航天器内部充电效应及典型事例分析. 必威体育下载 , 2010, 59(4): 2907-2913.doi:10.7498/aps.59.2907
[19]	张冰, 柴常春, 杨银堂.源、漏到栅距离对次亚微米ggNMOS ESD保护电路鲁棒性的影响. 必威体育下载 , 2010, 59(11): 8063-8070.doi:10.7498/aps.59.8063
[20]	朱志炜, 郝跃, 张金凤, 方建平, 刘红侠.适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型. 必威体育下载 , 2006, 55(11): 5878-5884.doi:10.7498/aps.55.5878

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