- 必威体育下载

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

摘要

研究普通热处理和快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜杂质对洁净区生成的影响. 通过腐蚀和光学显微镜研究发现,常规高-低-高三步洁净区生成热处理样品中, 第一步高温热处理前对样品铜沾污,样品中没有洁净区生成,高密度的铜沉淀布满了样品整个截面. 而第二步、第三步热处理过程中引入铜杂质不影响洁净区的生成. 研究表明,高温热处理过程中生成的铜沉淀不能溶解是导致洁净区不能形成的最主要原因. 另外,由于不同温度下热处理,导致引入铜杂质的平衡浓度不同,会在一定程度上影响洁净区的厚度. 对于快速热处理样品,可以得到相似的结果.

关键词:

Abstract

The influence of copper precipitation on the formation of denuded zone (DZ) in Czochralski silicon has been systematically investigated by means of optical microscopy. It was found that, for conventional furnace high-low-high annealing, the copper precipitates colonies generated along the whole crosssection in the specimens contaminated by copper impurity at the first step of the heat treatment, thus no DZ generated. While in other specimens, DZ formed. Additionally, it was found that the contamination temperature can influence significantly the thermodynamics and kinetic process of the formation of copper precipitates. The phenomena also occurred in the specimens underwent rapid thermal-low-high annealing. On the basis of the step by step investigation, it was revealed that the copper precipitates temperature and point defects type can influence the formation of DZ to a great extent.

Keywords:

作者及机构信息

1.
2.
3.

基金项目:国家自然科学基金(批准号：50902116, 50832006)、福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划, 硅材料国家重点实验室开放基金项目(批准号：SKL2009-11)和福建省重大平台建设基金(批准号：2009J1009)资助的课题.

Authors and contacts

1.
2.
3.

Funds:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 50902116, 50832006), Program for New Century Excellent Talents in Fujian Province University, the Opening Project of State Key Laboratory of Silicon Materials, China (Grant No. SKL2009-11), and the Scientific and Technological Innovation Platform of Fujian Province, China (Grant No. 2009J1009).

参考文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]
[30]
[31]
[32]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]
[30]
[31]
[32]

[1]	张光超, 徐进.直拉单晶硅中洁净区形成后铜沉淀行为的研究. 必威体育下载 , 2013, 62(7): 076103.doi:10.7498/aps.62.076103
[2]	吴晨阳, 谷锦华, 冯亚阳, 薛源, 卢景霄.椭圆偏振光谱表征单晶硅衬底上生长的非晶硅和外延硅薄膜. 必威体育下载 , 2012, 61(15): 157803.doi:10.7498/aps.61.157803
[3]	吴太权.微锗掺杂直拉单晶硅中的锗-空位复合体. 必威体育下载 , 2012, 61(6): 063101.doi:10.7498/aps.61.063101
[4]	吉川, 徐进.点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p+ 外延片中铜沉淀的影响. 必威体育下载 , 2012, 61(23): 236102.doi:10.7498/aps.61.236102
[5]	孙鹏, 胡明, 刘博, 孙凤云, 许路加.金属/多孔硅/单晶硅(M/PS/Si)微结构的电学特性. 必威体育下载 , 2011, 60(5): 057303.doi:10.7498/aps.60.057303
[6]	周春兰, 王文静, 赵雷, 李海玲, 刁宏伟, 曹晓宁.单晶硅表面均匀小尺寸金字塔制备及其特性研究. 必威体育下载 , 2010, 59(8): 5777-5783.doi:10.7498/aps.59.5777
[7]	缪竞威, 王培禄, 朱洲森, 袁学东, 王虎, 杨朝文, 师勉恭, 缪蕾, 孙威立, 张静, 廖雪花.氮团簇离子注入单晶硅的光致发光谱研究. 必威体育下载 , 2008, 57(4): 2174-2178.doi:10.7498/aps.57.2174
[8]	奚光平, 马向阳, 田达晰, 曾俞衡, 宫龙飞, 杨德仁.低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用. 必威体育下载 , 2008, 57(11): 7108-7113.doi:10.7498/aps.57.7108
[9]	崔灿, 马向阳, 杨德仁.低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响. 必威体育下载 , 2008, 57(2): 1037-1042.doi:10.7498/aps.57.1037
[10]	段芳莉, 王家序, 雒建斌, 温诗铸.纳米粒子碰撞下的单晶硅表面非晶相变. 必威体育下载 , 2007, 56(11): 6552-6556.doi:10.7498/aps.56.6552
[11]	徐进, 李福龙, 杨德仁.直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究. 必威体育下载 , 2007, 56(7): 4113-4116.doi:10.7498/aps.56.4113
[12]	段芳莉, 雒建斌, 温诗铸.纳米粒子与单晶硅表面碰撞的反弹机理研究. 必威体育下载 , 2005, 54(6): 2832-2837.doi:10.7498/aps.54.2832
[13]	刘明, 刘宏, 何宇亮.纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性. 必威体育下载 , 2003, 52(11): 2875-2878.doi:10.7498/aps.52.2875
[14]	蒋乐, 杨德仁, 余学功, 马向阳, 徐进, 阙端麟.直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响. 必威体育下载 , 2003, 52(8): 2000-2004.doi:10.7498/aps.52.2000
[15]	李清山, 李鹏, 马玉蓉, 潘必才, 夏上达, 方容川.(单晶硅/电解液)界面对多孔硅形成初期阶段的影响. 必威体育下载 , 1996, 45(2): 244-248.doi:10.7498/aps.45.244
[16]	陈敏锐, 沈华, 刘士毅.掺金单晶硅特性的研究. 必威体育下载 , 1992, 41(3): 491-499.doi:10.7498/aps.41.491
[17]	苏昉, C. LEE, P. C. TAYLOR.单晶硅中硅氢键和氢致缺陷的电子自旋共振研究. 必威体育下载 , 1988, 37(7): 1053-1058.doi:10.7498/aps.37.1053
[18]	高愈尊.退火直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷的电子显微镜研究. 必威体育下载 , 1984, 33(6): 840-844.doi:10.7498/aps.33.840
[19]	葛传珍, 徐秀英, 冯端.直拉法生长的YAG单晶体中组分过冷引起的针状应力区和位错. 必威体育下载 , 1981, 30(2): 218-223.doi:10.7498/aps.30.218
[20]	巴图, 何怡贞.硅单晶中铜沉淀物的几何形态. 必威体育下载 , 1980, 29(7): 860-866.doi:10.7498/aps.29.860

计量

文章访问数:5552
PDF下载量:356
被引次数:0

搜索

留言板

Effect of copper precipitation on the formation of denuded zone in Czchralski silicon

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.
2.
3.

Authors and contacts

1.
2.
3.

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

Effect of copper precipitation on the formation of denuded zone in Czchralski silicon

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.2.3.

Authors and contacts

1.2.3.

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们

1.
2.
3.

1.
2.
3.