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为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.30.5 m,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.11.4 m.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4 m厚的Ga1-xAlxAs(x=0.7)窗口层和1.11.5 m厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350 A/lm以上.

关键词:

Abstract

To explore the structural feature of high performance transmission-mode GaAs photocathode, the optical properties and shortwave limitation for the transmission-mode quantum efficient formula is modified. By using the modified formula, a high quantum efficient (43%) curve of ITT is well fitted. A series of structural parameters is obtained with in a relative error less than 5%, which indicates that the thickness of the Ga1-xAlxAs window layer is 0.30.5 m, the Al mole value is 0.7, and the thickness of the GaAs active layer is 1.11.4 m. In addition, an optimized structure for the uniform-doping transmission-mode GaAs photocathode is suggested based on the fitted results. When the thickness of the Ga1-xAlxAs (x=0.7) layer and the GaAs layer are 0.4 m and 1.11.5 m respectively, the integral sensitivity can exceed 2350 A/lm.

Keywords:

作者及机构信息

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基金项目:国家自然科学基金(批准号:60678043)、江苏省普通高校研究生科研创新计划(批准号:CX09B_096Z)和南京理工大学自主科研专项计划(批准号:2010ZYTS032)资助的课题.

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