- 必威体育下载

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

摘要

结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1－βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.

关键词:

Based on strained silicon metal-oxide semiconductor field transistor (MOSFET) structure, the distribution of surface potential is obtained by solving two-dimensional Poisson equation, and the threshold voltage model is built. According to calculation results, the dependence of threshold voltage on germanium content of relaxed Si1－βGeβ, channel length, voltage of drain, doping content of substrate and channel are studied in detail, and the influence of drain-induced barrier-lowering on scaled strained silicon MOSFET is obtained, which can provide important reference for the design of strained silicon MOSFET device and circuit.

Keywords:

作者及机构信息

Authors and contacts

1.

参考文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]

[1]	吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇, 殷树娟, 周春宇.单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型. 必威体育下载 , 2015, 64(6): 067305.doi:10.7498/aps.64.067305
[2]	杨帅, 汤晓燕, 张玉明, 宋庆文, 张义门.电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响. 必威体育下载 , 2014, 63(20): 208501.doi:10.7498/aps.63.208501
[3]	周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 王冠宇.应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型. 必威体育下载 , 2014, 63(1): 017101.doi:10.7498/aps.63.017101
[4]	胡辉勇, 刘翔宇, 连永昌, 张鹤鸣, 宋建军, 宣荣喜, 舒斌.γ射线总剂量辐照效应对应变Sip型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压与跨导的影响研究. 必威体育下载 , 2014, 63(23): 236102.doi:10.7498/aps.63.236102
[5]	刘翔宇, 胡辉勇, 张鹤鸣, 宣荣喜, 宋建军, 舒斌, 王斌, 王萌.具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究. 必威体育下载 , 2014, 63(23): 237302.doi:10.7498/aps.63.237302
[6]	范敏敏, 徐静平, 刘璐, 白玉蓉, 黄勇.高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计. 必威体育下载 , 2014, 63(8): 087301.doi:10.7498/aps.63.087301
[7]	辛艳辉, 刘红侠, 王树龙, 范小娇.对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型. 必威体育下载 , 2014, 63(14): 148502.doi:10.7498/aps.63.148502
[8]	辛艳辉, 刘红侠, 王树龙, 范小娇.堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管二维模型. 必威体育下载 , 2014, 63(24): 248502.doi:10.7498/aps.63.248502
[9]	周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 舒斌, 王斌, 王冠宇.应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 必威体育下载 , 2013, 62(7): 077103.doi:10.7498/aps.62.077103
[10]	辛艳辉, 刘红侠, 范小娇, 卓青青.单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型. 必威体育下载 , 2013, 62(10): 108501.doi:10.7498/aps.62.108501
[11]	许立军, 张鹤鸣.环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究. 必威体育下载 , 2013, 62(10): 108502.doi:10.7498/aps.62.108502
[12]	李立, 刘红侠, 杨兆年.量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型. 必威体育下载 , 2012, 61(16): 166101.doi:10.7498/aps.61.166101
[13]	胡辉勇, 雷帅, 张鹤鸣, 宋建军, 宣荣喜, 舒斌, 王斌.Poly-Si1-xGex栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应管栅耗尽模型研究. 必威体育下载 , 2012, 61(10): 107301.doi:10.7498/aps.61.107301
[14]	孙鹏, 杜磊, 陈文豪, 何亮, 张晓芳.金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究. 必威体育下载 , 2012, 61(10): 107803.doi:10.7498/aps.61.107803
[15]	曹磊, 刘红侠.新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究. 必威体育下载 , 2012, 61(17): 177301.doi:10.7498/aps.61.177301
[16]	王冠宇, 张鹤鸣, 王晓艳, 吴铁峰, 王斌.亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型. 必威体育下载 , 2011, 60(7): 077106.doi:10.7498/aps.60.077106
[17]	刘红侠, 尹湘坤, 刘冰洁, 郝跃.应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型. 必威体育下载 , 2010, 59(12): 8877-8882.doi:10.7498/aps.59.8877
[18]	李劲, 刘红侠, 李斌, 曹磊, 袁博.高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型. 必威体育下载 , 2010, 59(11): 8131-8136.doi:10.7498/aps.59.8131
[19]	张志锋, 张鹤鸣, 胡辉勇, 宣荣喜, 宋建军.应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型. 必威体育下载 , 2009, 58(7): 4948-4952.doi:10.7498/aps.58.4948
[20]	李艳萍, 徐静平, 陈卫兵, 许胜国, 季峰.考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3670-3676.doi:10.7498/aps.55.3670

计量

文章访问数:12323
PDF下载量:982
被引次数:0

搜索

留言板

Drain-induced barrier-lowering effects on threshold voltage in short-channel strained Si metal-oxide semiconductor field transistor

摘要

Abstract

作者及机构信息

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

Drain-induced barrier-lowering effects on threshold voltage in short-channel strained Si metal-oxide semiconductor field transistor

摘要

Abstract

作者及机构信息

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们