[1] |
吕玲, 邢木涵, 薛博瑞, 曹艳荣, 胡培培, 郑雪峰, 马晓华, 郝跃.重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响. 必威体育下载 , 2024, 73(3): 036103.doi:10.7498/aps.73.20221360 |
[2] |
刘乃漳, 姚若河, 耿魁伟.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型. 必威体育下载 , 2021, 70(21): 217301.doi:10.7498/aps.70.20210700 |
[3] |
郝蕊静, 郭红霞, 潘霄宇, 吕玲, 雷志锋, 李波, 钟向丽, 欧阳晓平, 董世剑.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理. 必威体育下载 , 2020, 69(20): 207301.doi:10.7498/aps.69.20200714 |
[4] |
刘旭阳, 张贺秋, 李冰冰, 刘俊, 薛东阳, 王恒山, 梁红伟, 夏晓川.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性. 必威体育下载 , 2020, 69(4): 047201.doi:10.7498/aps.69.20190640 |
[5] |
刘静, 王琳倩, 黄忠孝.基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应. 必威体育下载 , 2019, 68(24): 248501.doi:10.7498/aps.68.20191311 |
[6] |
周幸叶, 吕元杰, 谭鑫, 王元刚, 宋旭波, 何泽召, 张志荣, 刘庆彬, 韩婷婷, 房玉龙, 冯志红.基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理. 必威体育下载 , 2018, 67(17): 178501.doi:10.7498/aps.67.20180474 |
[7] |
王冲, 赵梦荻, 裴九清, 何云龙, 李祥东, 郑雪峰, 毛维, 马晓华, 张进成, 郝跃.AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管. 必威体育下载 , 2016, 65(3): 038501.doi:10.7498/aps.65.038501 |
[8] |
石磊, 冯士维, 石帮兵, 闫鑫, 张亚民.开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化作用研究. 必威体育下载 , 2015, 64(12): 127303.doi:10.7498/aps.64.127303 |
[9] |
谷文萍, 张林, 李清华, 邱彦章, 郝跃, 全思, 刘盼枝.中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响. 必威体育下载 , 2014, 63(4): 047202.doi:10.7498/aps.63.047202 |
[10] |
任舰, 闫大为, 顾晓峰.AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究. 必威体育下载 , 2013, 62(15): 157202.doi:10.7498/aps.62.157202 |
[11] |
马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型. 必威体育下载 , 2012, 61(4): 047301.doi:10.7498/aps.61.047301 |
[12] |
吕玲, 张进成, 李亮, 马晓华, 曹艳荣, 郝跃.3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响. 必威体育下载 , 2012, 61(5): 057202.doi:10.7498/aps.61.057202 |
[13] |
余晨辉, 罗向东, 周文政, 罗庆洲, 刘培生.新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究. 必威体育下载 , 2012, 61(20): 207301.doi:10.7498/aps.61.207301 |
[14] |
王鑫华, 赵妙, 刘新宇, 蒲颜, 郑英奎, 魏珂.AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合. 必威体育下载 , 2011, 60(4): 047101.doi:10.7498/aps.60.047101 |
[15] |
毛维, 杨翠, 郝跃, 张进成, 刘红侠, 马晓华, 王冲, 张金风, 杨林安, 许晟瑞, 毕志伟, 周洲, 杨凌, 王昊.场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究. 必威体育下载 , 2011, 60(1): 017205.doi:10.7498/aps.60.017205 |
[16] |
顾江, 王强, 鲁宏.AlGaN/GaN 高速电子迁移率晶体管器件电流坍塌效应与界面热阻和温度的研究. 必威体育下载 , 2011, 60(7): 077107.doi:10.7498/aps.60.077107 |
[17] |
王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维.增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究. 必威体育下载 , 2010, 59(10): 7333-7337.doi:10.7498/aps.59.7333 |
[18] |
魏 巍, 郝 跃, 冯 倩, 张进城, 张金凤.AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析. 必威体育下载 , 2008, 57(4): 2456-2461.doi:10.7498/aps.57.2456 |
[19] |
林若兵, 王欣娟, 冯 倩, 王 冲, 张进城, 郝 跃.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究. 必威体育下载 , 2008, 57(7): 4487-4491.doi:10.7498/aps.57.4487 |
[20] |
李若凡, 杨瑞霞, 武一宾, 张志国, 许娜颖, 马永强.用逆压电极化模型对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究. 必威体育下载 , 2008, 57(4): 2450-2455.doi:10.7498/aps.57.2450 |