| [1] |
王甫, 周毅, 高士鑫, 段振刚, 孙志鹏, 汪俊(Jun Wang), 邹 宇, 付宝勤(Baoqin Fu).碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究. 必威体育下载 , 2021, (): .doi:10.7498/aps.70.20211434 |
| [2] |
张鸿, 郭红霞, 潘霄宇, 雷志峰, 张凤祁, 顾朝桥, 柳奕天, 琚安安, 欧阳晓平.重离子在碳化硅中的输运过程及能量损失. 必威体育下载 , 2021, 70(16): 162401.doi:10.7498/aps.70.20210503 |
| [3] |
鲁媛媛, 鹿桂花, 周恒为, 黄以能.锂辉石/碳化硅复相陶瓷材料的制备与性能. 必威体育下载 , 2020, 69(11): 117701.doi:10.7498/aps.69.20200232 |
| [4] |
李媛媛, 喻寅, 孟川民, 张陆, 王涛, 李永强, 贺红亮, 贺端威.金刚石-碳化硅超硬复合材料的冲击强度. 必威体育下载 , 2019, 68(15): 158101.doi:10.7498/aps.68.20190350 |
| [5] |
申帅帅, 贺朝会, 李永宏.质子在碳化硅中不同深度的非电离能量损失. 必威体育下载 , 2018, 67(18): 182401.doi:10.7498/aps.67.20181095 |
| [6] |
周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 舒斌, 王斌, 王冠宇.应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 必威体育下载 , 2013, 62(7): 077103.doi:10.7498/aps.62.077103 |
| [7] |
宋坤, 柴常春, 杨银堂, 贾护军, 陈斌, 马振洋.改进型异质栅对深亚微米栅长碳化硅MESFET特性影响. 必威体育下载 , 2012, 61(17): 177201.doi:10.7498/aps.61.177201 |
| [8] |
李立, 刘红侠, 杨兆年.量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型. 必威体育下载 , 2012, 61(16): 166101.doi:10.7498/aps.61.166101 |
| [9] |
房超, 刘马林.包覆燃料颗粒碳化硅层的Raman光谱研究. 必威体育下载 , 2012, 61(9): 097802.doi:10.7498/aps.61.097802 |
| [10] |
周耐根, 洪涛, 周浪.MEAM势与Tersoff势比较研究碳化硅熔化与凝固行为. 必威体育下载 , 2012, 61(2): 028101.doi:10.7498/aps.61.028101 |
| [11] |
李妤晨, 张鹤鸣, 张玉明, 胡辉勇, 徐小波, 秦珊珊, 王冠宇.新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型. 必威体育下载 , 2012, 61(4): 047303.doi:10.7498/aps.61.047303 |
| [12] |
王冠宇, 张鹤鸣, 王晓艳, 吴铁峰, 王斌.亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型. 必威体育下载 , 2011, 60(7): 077106.doi:10.7498/aps.60.077106 |
| [13] |
屈江涛, 张鹤鸣, 王冠宇, 王晓艳, 胡辉勇.多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型. 必威体育下载 , 2011, 60(5): 058502.doi:10.7498/aps.60.058502 |
| [14] |
黄维, 陈之战, 陈义, 施尔畏, 张静玉, 刘庆峰, 刘茜.组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响. 必威体育下载 , 2010, 59(5): 3466-3472.doi:10.7498/aps.59.3466 |
| [15] |
张志锋, 张鹤鸣, 胡辉勇, 宣荣喜, 宋建军.应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型. 必威体育下载 , 2009, 58(7): 4948-4952.doi:10.7498/aps.58.4948 |
| [16] |
林 涛, 陈治明, 李 佳, 李连碧, 李青民, 蒲红斌.6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究. 必威体育下载 , 2008, 57(9): 6007-6012.doi:10.7498/aps.57.6007 |
| [17] |
张鹤鸣, 崔晓英, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜.应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究. 必威体育下载 , 2007, 56(6): 3504-3508.doi:10.7498/aps.56.3504 |
| [18] |
李艳萍, 徐静平, 陈卫兵, 许胜国, 季 峰.考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3670-3676.doi:10.7498/aps.55.3670 |
| [19] |
代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹.考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型. 必威体育下载 , 2005, 54(2): 897-901.doi:10.7498/aps.54.897 |
| [20] |
王 源, 张义门, 张玉明, 汤晓燕.6H-SiC肖特基源漏MOSFET的模拟仿真研究. 必威体育下载 , 2003, 52(10): 2553-2557.doi:10.7498/aps.52.2553 |
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