[1] |
贾欣, 刘强, 母志强, 周虹阳, 俞文杰.空腔嵌入绝缘体上硅衬底制备技术. 必威体育下载 , 2023, 72(12): 127302.doi:10.7498/aps.72.20230198 |
[2] |
唐春萍, 段宝兴, 宋坤, 王彦东, 杨银堂.衬底浮空的新型绝缘体上硅基横向功率器件分析. 必威体育下载 , 2021, 70(14): 148501.doi:10.7498/aps.70.20202065 |
[3] |
徐火希, 徐静平.LaTiO高k栅介质GeMOS电容电特性及Ti含量优化. 必威体育下载 , 2016, 65(3): 037301.doi:10.7498/aps.65.037301 |
[4] |
石艳梅, 刘继芝, 姚素英, 丁燕红, 张卫华, 代红丽.具有L型源极场板的双槽绝缘体上硅高压器件新结构. 必威体育下载 , 2014, 63(23): 237305.doi:10.7498/aps.63.237305 |
[5] |
白玉蓉, 徐静平, 刘璐, 范敏敏, 黄勇, 程智翔.高k栅介质小尺寸全耗尽绝缘体上锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管漏源电流模型. 必威体育下载 , 2014, 63(23): 237304.doi:10.7498/aps.63.237304 |
[6] |
王骁玮, 罗小蓉, 尹超, 范远航, 周坤, 范叶, 蔡金勇, 罗尹春, 张波, 李肇基.高k介质电导增强SOI LDMOS机理与优化设计. 必威体育下载 , 2013, 62(23): 237301.doi:10.7498/aps.62.237301 |
[7] |
许立军, 张鹤鸣.环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究. 必威体育下载 , 2013, 62(10): 108502.doi:10.7498/aps.62.108502 |
[8] |
曹磊, 刘红侠.考虑量子效应的高k栅介质SOI MOSFET特性研究. 必威体育下载 , 2012, 61(24): 247303.doi:10.7498/aps.61.247303 |
[9] |
王晓艳, 张鹤鸣, 王冠宇, 宋建军, 秦珊珊, 屈江涛.漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响. 必威体育下载 , 2011, 60(2): 027102.doi:10.7498/aps.60.027102 |
[10] |
张冰, 柴常春, 杨银堂.源、漏到栅距离对次亚微米ggNMOS ESD保护电路鲁棒性的影响. 必威体育下载 , 2010, 59(11): 8063-8070.doi:10.7498/aps.59.8063 |
[11] |
李劲, 刘红侠, 李斌, 曹磊, 袁博.高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型. 必威体育下载 , 2010, 59(11): 8131-8136.doi:10.7498/aps.59.8131 |
[12] |
刘玉荣, 陈伟, 廖荣.低工作电压聚噻吩薄膜晶体管. 必威体育下载 , 2010, 59(11): 8088-8092.doi:10.7498/aps.59.8088 |
[13] |
汤晓燕, 张义门, 张玉明.SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压. 必威体育下载 , 2009, 58(1): 494-497.doi:10.7498/aps.58.494 |
[14] |
丁宏林, 刘 奎, 王 祥, 方忠慧, 黄 健, 余林蔚, 李 伟, 黄信凡, 陈坤基.控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响. 必威体育下载 , 2008, 57(7): 4482-4486.doi:10.7498/aps.57.4482 |
[15] |
栾苏珍, 刘红侠, 贾仁需, 蔡乃琼.高k介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型. 必威体育下载 , 2008, 57(6): 3807-3812.doi:10.7498/aps.57.3807 |
[16] |
李艳萍, 徐静平, 陈卫兵, 许胜国, 季 峰.考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3670-3676.doi:10.7498/aps.55.3670 |
[17] |
萨 宁, 康晋锋, 杨 红, 刘晓彦, 张 兴, 韩汝琦.具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究. 必威体育下载 , 2006, 55(3): 1419-1423.doi:10.7498/aps.55.1419 |
[18] |
郭得峰, 耿伟刚, 兰 伟, 黄春明, 王印月.Y掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究. 必威体育下载 , 2005, 54(12): 5901-5906.doi:10.7498/aps.54.5901 |
[19] |
王 源, 张义门, 张玉明, 汤晓燕.6H-SiC肖特基源漏MOSFET的模拟仿真研究. 必威体育下载 , 2003, 52(10): 2553-2557.doi:10.7498/aps.52.2553 |
[20] |
林鸿溢.利用肖特基势垒特性研究4mm波段硅雪崩二极管的杂质分布. 必威体育下载 , 1978, 27(3): 291-302.doi:10.7498/aps.27.291 |