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就蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大，但是采用场板后器件的击穿电压从52V提高到了142V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真，深入分析了FP对器件击穿电压的影响.

关键词:
AlGaN/GaN/

HEMT/

场板/

击穿电压
Abstract
Fabrication and the characteristics at room temperature of FP-HEMT are reported, followed by a comparison of the actual characteristics with the conventional HEMT. With the incorporation of field plate, the breakdown voltage was enhanced from 52 to 142V.Comparison between AlGaN/GaN FP-HEMT and the conventional HEMT are also made, using Silvaco, as the simulation tool. The effect of enhancing the breakdown voltage is also investigated.

Keywords:
AlGaN/GaN/

HEMT/

field plate/

breakdown voltage
作者及机构信息
郭亮良,

冯倩,

郝跃,

杨燕

1.

基金项目:国家重大基础研究发展计划(973)(批准号：51327020301，2002CB311904)和西安应用材料创新基金(批准号：XA-AM-200616)资助的课题.
Authors and contacts
Guo Liang-Liang,

Feng Qian,

Hao Yue,

Yang Yan

1.
参考文献

施引文献

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