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摘要
用无电电镀的化学方法，在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源，在550℃下退火若干小时，可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物，晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT，获得了良好的器件特性.

关键词:
金属诱导晶化/

化学源/

多晶硅/

薄膜晶体管
Abstract
Nonv-electrical plating was employed to form nickel inducing source on the surface of α-Si thin film deposited by VHF-PECVD. It was observed that the nickel inducing source formed by this method appeared as “dots” uniformly distributed on the surface of a-Si thin film after annealed for several hours at 550℃. The quantity of “dot” on the a-Si was determined by Ni concentration in the solution, the PH value, and the plating times, etc. The lateral crystallization was observed if the density of “dots” is relatively low. Poly-Si with maximum grain size of 90μm was obtained from the original α-Si deposited by VHF-PECVD. High performance thin film transistor (TFT) monitors were fabricated using this poly-Si.

Keywords:
metal induced crystallization/

chemical source/

poly-Si/

TFT
作者及机构信息
赵淑云²,

吴春亚²,

刘召军²,

李学冬²,

王中²,

孟志国²,

熊绍珍²,

张芳¹

基金项目:国家高技术研究发展计划(863)(批准号：2004AA303570)、国家自然科学基金重点项目(批准号：60437030)、天津市自然科学基金(批准号：05YFJMJC01400)及国家出国留学人员回国基金资助的课题.
Authors and contacts
Zhao Shu-Yun²,

Wu Chun-Ya²,

Liu Zhao-Jun²,

Li Xue-Dong²,

Wang Zhong²,

Meng Zhi-Guo²,

Xiong Shao-Zhen²,

Zhang Fang¹
参考文献

施引文献

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