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摘要
在ZnO单晶样品中注入了能量为20—100keV、总剂量为4.4×1015cm-2的He离子.利用基于慢正电子束的多普勒展宽测量研究了离子注入产生的缺陷.结果表明，He离子注入ZnO产生了双空位或更大的空位团.在400℃以下退火后，He开始填充到这些空位团里面，造成空位团的有效体积减少.经过400℃以上升温退火后，这些空位团的尺寸开始增大，但由于有少量的He仍然占据在空位团内，因此直到800℃这些空位团仍保持稳定.高于800℃退火后，由于He的脱附，留下的空位团

关键词:
慢正电子束/

ZnO/

离子注入/

缺陷
Abstract
ZnO single crystals were implanted with He ions of energy of 20—100keV. The total implantation dose was 4.4×1015cm-2. Doppler broadening of positron annihilation spectra were measured using a slow positron beam to study the implantation-induced defects. The results suggest that after implantation, divacancies or larger vacancy clusters are produced. After annealing below 400℃, He impurity begins to occupy the vacancy clusters. Upon further annealing above 400℃, the vacancy clusters grow in size. At annealing temperature of above 800℃, He atom is released from the vacancy clusters, and the vacancies begin to recover and are annealed out at 1000℃.

Keywords:
slow positron beam/

ZnO/

ion-implantation/

defects
作者及机构信息
陈志权²,

河裾厚男¹

基金项目:国家自然科学基金(批准号：10375043，10075037)资助的课题.
Authors and contacts
Chen Zhi-Quan²,

Kawasuso Atsuo¹
参考文献

施引文献

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