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摘要
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法，在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)等对多晶锗硅薄膜的质量、表面形貌进行了测试分析，并就生长参数以及金属Ni对薄膜性能的影响进行了研究.结果表明：1)在420—500℃范围内，金属Ni具有明显的诱导作用；2)Ni层厚度对薄膜质量及形貌的影响使得晶粒尺寸随Ni厚度增加存在一极大值.在Ni层厚度为60nm时，能够获得晶粒尺寸均匀，晶粒大小为500—600nm，结晶质量良好的多晶锗硅薄膜.

关键词:
超高真空化学气相沉积/

金属诱导/

镍/

多晶锗硅
Abstract
Poly-SiGe films were prepared by a metal-induced growth technique with ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD) at low temperature. The crystal quality and morphology of poly-SiGe films were characterized by XRD and SEM. The influences of varying the thickness of Ni prelayer and the growth parameters on poly-SiGe films were investigated. It is shown that thicker Ni(≥10nm) has an obvious effect on poly-SiGe growth at 420—500℃. And for the samples with 60nm thick Ni layers, poly-SiGe deposition yields a continuous, highly crystalline film with good morphology.

Keywords:
UHVCVD/

metal-induced growth/

nickel/

poly-SiGe
作者及机构信息
吴贵斌,

叶志镇,

赵星,

刘国军,

赵炳辉

1.

基金项目:国家科技部攀登项目(批准号：981101040)，浙江计划项目(批准号：991110535)资助的课题.
Authors and contacts
Wu Gui-Bin,

Ye Zhi-Zhen,

Zhao Xing,

Liu Guo-Jun,

Zhao Bin-Hui

1.
参考文献

施引文献

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