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摘要
采用提拉法生长了Cr单掺和Cr，Mg共掺Al2O3晶体，后者具有900—1600nm的宽带吸收.研究了该吸收带在不同气氛、不同温度退火下的变化规律.通过建立合理的晶格缺陷模型，成功地解释了所有的实验结果，并确定Cr，Mg共掺Al2O3晶体红外波段宽吸收带属于八面体格位中的Cr4+离子.

关键词:
Cr4+离子/

八面体格位/

晶格缺陷
Abstract
Cr-doped and Mg,Cr-codoped Al2O3 crystals were grown by Czochralski method. The latter has a broad absorption peak in 900—1600nm region. We investigated the change of the absorption band with annealing under different atmospheres or temperatures. Through establishing a structure defect model, we successfully interpreted all the experiment results and confirmed that the extremely broad infrared absorption band belonged to Cr4+, which should occupy the octahedral sites in Al2O3.

Keywords:
Cr4+ ions/

octahedral sites/

structure defect
作者及机构信息
张丹²,

苏良碧²,

徐军²,

杨秋红¹,

张连翰²,

李红军²
Authors and contacts
Zhang Dan²,

Su Liang-Bi²,

Xu Jun²,

Yang Qiu-Hong¹,

Zhang Lian-Han²,

Li Hong-Jun²
参考文献

施引文献

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