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摘要
根据改进后的三角势阱场近似，并考虑量子化效应，提出了一种基于物理的阈值电压解析模型，给出了MOSFET的阈值电压解析表达式，并与经典理论和数值模拟结果进行了比较.

关键词:
量子效应/

阈值电压/

反型层/

表面势
Abstract
Based on the improved approximation of modified triangular potential well, a phy sical_based model of MOSFETs threshold voltage is presented, as well as its anal ytical formulation. The new model takes quantum effects into account for future generation MOS devices and integration circuits. The calculated results by using the new model agree with the simulation results very well.

Keywords:
quantum effects/

threshold voltage/

inversion layer/

surface potential
作者及机构信息
代月花,

陈军宁,

柯导明,

孙家讹

1.

基金项目:国家自然科学基金（批准号：60276042）和安徽省自然科学基金（批准号：01044104）资助的课题.
Authors and contacts
Dai Yue-Hua,

Chen Jun-Ning,

Ke Dao-Ming,

Sun Jia-E

1.
参考文献

施引文献

[1]	范敏敏, 徐静平, 刘璐, 白玉蓉, 黄勇.高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计. 必威体育下载 , 2014, 63(8): 087301.doi:10.7498/aps.63.087301
[2]	刘翔宇, 胡辉勇, 张鹤鸣, 宣荣喜, 宋建军, 舒斌, 王斌, 王萌.具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究. 必威体育下载 , 2014, 63(23): 237302.doi:10.7498/aps.63.237302
[3]	胡辉勇, 刘翔宇, 连永昌, 张鹤鸣, 宋建军, 宣荣喜, 舒斌.γ射线总剂量辐照效应对应变Sip型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压与跨导的影响研究. 必威体育下载 , 2014, 63(23): 236102.doi:10.7498/aps.63.236102
[4]	辛艳辉, 刘红侠, 王树龙, 范小娇.对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型. 必威体育下载 , 2014, 63(14): 148502.doi:10.7498/aps.63.148502
[5]	周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 舒斌, 王斌, 王冠宇.应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 必威体育下载 , 2013, 62(7): 077103.doi:10.7498/aps.62.077103
[6]	陈海峰.反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究. 必威体育下载 , 2013, 62(18): 188503.doi:10.7498/aps.62.188503
[7]	辛艳辉, 刘红侠, 范小娇, 卓青青.单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型. 必威体育下载 , 2013, 62(10): 108501.doi:10.7498/aps.62.108501
[8]	陈晓雪, 姚若河.基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究. 必威体育下载 , 2012, 61(23): 237104.doi:10.7498/aps.61.237104
[9]	李妤晨, 张鹤鸣, 张玉明, 胡辉勇, 徐小波, 秦珊珊, 王冠宇.新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型. 必威体育下载 , 2012, 61(4): 047303.doi:10.7498/aps.61.047303
[10]	胡辉勇, 雷帅, 张鹤鸣, 宋建军, 宣荣喜, 舒斌, 王斌.Poly-Si1-xGex栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应管栅耗尽模型研究. 必威体育下载 , 2012, 61(10): 107301.doi:10.7498/aps.61.107301
[11]	李立, 刘红侠, 杨兆年.量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型. 必威体育下载 , 2012, 61(16): 166101.doi:10.7498/aps.61.166101
[12]	刘启能.各向异性圆柱掺杂光子晶体的缺陷模及其量子效应. 必威体育下载 , 2011, 60(1): 014217.doi:10.7498/aps.60.014217
[13]	王冠宇, 张鹤鸣, 王晓艳, 吴铁峰, 王斌.亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型. 必威体育下载 , 2011, 60(7): 077106.doi:10.7498/aps.60.077106
[14]	屈江涛, 张鹤鸣, 王冠宇, 王晓艳, 胡辉勇.多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型. 必威体育下载 , 2011, 60(5): 058502.doi:10.7498/aps.60.058502
[15]	李斌, 刘红侠, 袁博, 李劲, 卢凤铭.应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型. 必威体育下载 , 2011, 60(1): 017202.doi:10.7498/aps.60.017202
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[17]	张志锋, 张鹤鸣, 胡辉勇, 宣荣喜, 宋建军.应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型. 必威体育下载 , 2009, 58(7): 4948-4952.doi:10.7498/aps.58.4948
[18]	张鹤鸣, 崔晓英, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜.应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究. 必威体育下载 , 2007, 56(6): 3504-3508.doi:10.7498/aps.56.3504
[19]	王悦悦, 杨琴, 戴朝卿, 张解放.考虑量子效应的Zakharov方程组的孤波解. 必威体育下载 , 2006, 55(3): 1029-1034.doi:10.7498/aps.55.1029
[20]	李艳萍, 徐静平, 陈卫兵, 许胜国, 季峰.考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3670-3676.doi:10.7498/aps.55.3670

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