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摘要
在650nm波长半导体激光器的基础上制造出了高输出功率的微小孔径激光器.驱动电流为25mA时，输出功率达到0.4mW，最大功率可达１mW以上.叙述了微小孔径激光器的特殊的制造工艺，并分析了器件可能的失效机理.

关键词:
近场光学/

微小孔径激光器/

半导体激光器/

失效分析
Abstract
High output power very-small-aperture laser has been created on 650nm edge emitting laser diodes.The far-field output power is 0.4mW at the 25mA driving current,and the highest output power exceeds 1mW. The special fabrication process is described and the failure mechanism leading to the short lifetime of the devices is discussed.

Keywords:
near-field optics/

very-small-aperture laser/

semiconductor laser/

failure analysis
作者及机构信息
宋国峰³,

甘巧强⁴,

瞿欣²,

方培源²,

高建霞⁴,

曹青⁵,

徐军¹,

康香宁¹,

徐云⁴,

钟源⁴,

杨国华⁴,

陈良惠³

基金项目:国家高技术研究发展计划(批准号：2002AA313060)资助的课题.
Authors and contacts
Song Guo-Feng³,

Gan Qiao-Qiang⁴,

Qu Xin²,

Fang Pei-Yuan²,

Gao Jian-Xia⁴,

Cao Qing⁵,

Xu Jun¹,

Kang Xiang-Ning¹,

Xu Yun⁴,

Zhong Yuan⁴,

Yang Guo-Hua⁴,

Chen Liang-Hui³
参考文献

施引文献

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