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摘要
提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时，监测器件功耗电流的变化情况，分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路：静态随机存取存储器（SRAM）、电擦除电编程只读存储器（EEPROM）、闪速存储器（FLASH ROM）和微处理器（CPU）的60Co γ总剂量效应实验的结果.

关键词:
测试方法/

总剂量效应/

大规模集成电路
Abstract
A kind of test method of total dose effects (TDE) is presented for very large scale integrated circuits (VLSI). The consumption current of devices is measured while function parameters of devices (or circuits) are measured. Then the relation between data errors and consumption current can be analyzed and mechanism of TDE in VLSI can be proposed. Experimental results of 60Co γ TDEs are given for SRAMs, EEPROMs, FLASH ROMs and a kind of CPU.

Keywords:
test method/

total dose effects/

very large scale integrated circuits
作者及机构信息
贺朝会,

耿斌,

何宝平,

姚育娟,

李永宏,

彭宏论,

林东生,

周辉,

陈雨生

1.

基金项目:国防预研基金(批准号：98J12.1.9)资助的课题.
Authors and contacts
He Chao-Hui,

Geng Bin,

He Bao-Ping,

Yao Yu-Juan,

Li Yong-Hong,

Peng Hong-Lun,

Lin Dong-Sheng,

Zhou Hui,

Chen Yu-Sheng

1.
参考文献

施引文献

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