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摘要
通过实验对比,研究了CH3CSNH2钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响.发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象,削弱了As与铁磁金属的反应,形成了较窄的反应层,并且改善了界面磁性.初步探讨了S钝化影响As扩散的原因.

关键词:
S钝化/

半导体界面/

电子结构/

磁性
Abstract
The influence of CH3CSNH2 passivation on diffusion at interface between ferromagnetic metals and GaAs has been studied. The experimental results show that sulfur passivation can change the chemical environment of As element , prevent As from diffusing into ferromagnetic metal overlayer, weaken the reaction of As with ferromagnetic metals and enhance the magnetism of the interface. Furthermore, we discussed the reason that S passivation can prevent As atoms diffusion.

Keywords:
sulfur passivation/

semiconductor interface/

electronic structure/

magnetism
作者及机构信息
祝传刚¹,

徐彭寿²,

陆尔东²,

徐法强²,

潘海斌²

基金项目:国家自然科学基金(批准号:19574042)资助的课题.
Authors and contacts
ZHU CHUAN-GANG¹,

XU PENG-SHOU²,

LU ER-DONG²,

XU FA-QIANG²,

PAN HAI-BIN²
参考文献

施引文献

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