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摘要
通过对p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算，分析了同一样品处于不同氛围中，以及不同导电类型的样品处于同一氛围中的测算结果的变化规律，探讨了出现这一规律的内在机理，解释了各有关的物理现象.

关键词:
半导体表面/

气体分子/

吸附机理/

光伏方法
Abstract
The relative surface parameters were determined by photovoltaic method in p and n type silicon in a wafer under the atmospheric, oxygenic, and nitric environmen ts, respectively. The inherent mechanism is approached according to the paramete r variations, and the relative physical phenomena are explained.

Keywords:
semiconductor surface/

gaseous molecules/

adsorption mechanism/

photovoltaic met hod
作者及机构信息
颜永美,

孙宜阳,

丁小勇,

陈议明

1.
Authors and contacts
YAN YONG-MEI,

SUN YI-YANG,

DING XIAO-YONG,

CHEN YI-MING

1.
参考文献

施引文献

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