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摘要

制备了Au-SiO2-Si结构MIS隧道发光结.测试并分析了该结的发光特性及电流-电压(I-V)特性.指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元(Surface Plasmon Polariton.SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果.观察到MIS结I-V特性中存在的负阻现象，采用SPP对电子的束缚模型对这一现象进行了初步分析.利用原子力显微镜(AFM)对结的表面形貌进行了观测，由此讨论了MIS隧道结的发光与电子在结内的隧穿输运特性之间的内在关系.
Abstract
The Au-SiO2-Si thin film MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)tunnel junction was fabricated.The light emission property and I-V characteristic of this junction were measured and analyzed.Result indicated that the light emission was due to the excitation of Surface Plasmon Polariton(SPP)and the couple of SPP with the surface roughness subsequently in the MIS system.We observed the negative resistance phenomenon(NRP) in the I-V curve of this MIS junction,which was explained by the electrons bonding model. We also got the AFM(atomic force microscopy)photo of the surface of MIS junction, by which the relation among the electrons tunneling, the excitation of SPP,and the light emission of the MIS junction was discussed.
作者及机构信息
王茂祥¹,

俞建华¹,

孙承休¹,

吴宗汉²

基金项目:国家自然科学基金(批准号：59977002)资助的课题.
Authors and contacts
WANG MAO-XIANG¹,

YU JIAN-HUA¹,

SUN CHENG-XIU¹,

WU ZONG-HAN²
参考文献

施引文献

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NEGATIVE RESISTANCE PHENOMENON AND LIGHT EMISSION PROPERTY OF THE METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR (Au-SiO2-Si) TUNNEL JUNCTION

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