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摘要

报道了用高能电子衍射研究Co在GaAs(001)表面上分子束外延生长的实验结果.发现当生长温度为150℃时，Co膜的外延可以分为三个阶段：最初的3nm Co膜的晶体结构是体心立方亚稳相；接下来的4nm是复杂的多相结构；从7nm往后，Co膜则是单晶的六角密堆积结构热力学稳定相.这一新的实验结果，澄清了前人有关这一体系外延层晶体结构的矛盾之处，并清晰地建立了Co在GaAs(001)表面外延生长的物理图象.
Abstract
By using in-situ reflection high energy electron diffraction, the epitaxial growth of Co films on GaAs(001) surface is studied. When the growth temperature was 150℃, the growth process of Co films can be divided into three stages. The crystal structure of the first 3nm of the Co film is body-center-cubic(bcc) metastable phase. Then the next 4nm film is a complicated polycrystalline phase. After the thickness exceeds 7nm, the Co film is a single-crystalline hexagonal-close-packed(hcp) stable phase. This new result clears up the controversy in former experiments about the structure of the Co epilayer, and establishes, for the first time to our knowledge, a clear physical picture of the epitaxial growth of Co films on GaAs(001).
作者及机构信息
吴义政,

丁海峰,

敬超,

吴镝,

刘国磊,

董国胜,

金晓峰

1.

基金项目:国家自然科学基金、国家杰出青年科学基金、国家教育委员会博士学科点专项科研基金和上海市科学技术委员会青年科技启明星计划资助的课题.
Authors and contacts
WU YI-ZHENG,

DING HAI-FENG,

JING CHAO,

WU DI,

LIU GUO-LEI,

DONG GUO-SHENG,

JIN XIAO-FENG

1.
参考文献

施引文献

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