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摘要

采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法，获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构．室温下观察到峰位为2.40eV光致发光．系统地研究了不同退火温度对薄膜的Raman谱、光荧光谱及光电子谱的影响．结果表明，荧光谱可分成两个不随温度变化的峰位为1.86和2.30eV的发光带．Si2p能级光电子谱表明与发光强度一样Si4+强度随退火温度增加而增加．Si平均晶粒大小为4.1—8.0nm，不能用量子限制模型解释蓝绿光的发射．纳米晶硅与SiO2界面或SiO2中与氧有关的缺陷可能是蓝绿光发射的主要原因
Abstract
Green/blue light emission with peak position around 2.3—2.4eV at room temperature was observed from Si nanocrystals embedded in silicon oxide films. The effects of thermal annealing on the structure, silicon core level and photoluminescence of silicon oxide films with nanostructures were studied. PL spectra consisted of peaks of 1.86 and 2.38eV, which were independent of annealing temperature Ta. Silicon and SiO2 phases were separated in the annealing temperature range. Both PL intensity and the amount of Si4+ increased repidly as Ta>750℃. From our observation, the origin of green/blue light emission is suggested to be related to the defects at the interface and in the SiOx network.
作者及机构信息
朱美芳²,

陈国²,

许怀哲²,

韩一琴²,

谢侃³,

刘振祥³,

唐勇¹,

陈培毅¹

基金项目:中国科学技术大学研究生院院长基金资助的课题.
Authors and contacts
ZHU MEI-FANG²,

CHEN GUO²,

XU HUAI-ZHE²,

HAN YI-QIN²,

XIE KAN³,

LIU ZHEN-XIANG³,

TANG YONG¹,

CHEN PEI-YI¹
参考文献

施引文献

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