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用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,GexSi1-x材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经过10nm左右的Si生长才能获得比较平整的表面.Si,GexSi1-x外延时的稳定表面均以双原子台阶为主,双原子台阶与单原子台阶并存的结构.Si双原子台阶上的Si二聚体列(dimerrow)取向垂直于台阶边缘,而GexSi1-x双原
Abstract
A study of Si, GexSi1-x growth mode on H-terminated vicinal Si substrate by RHEED is presented. About 10 nm Si epilayer is required to obtain a smooth Si substrate. Bi-atomic terrace dominate on the stable surface both of Si and GexSi1-x single atomic terrace is present in the mean time. Dimer row on bi-atomic Si terrace is perpendicular to terrace edge while dimer row on GexSi1-x bi-atomic terrace is paraller to it (90°rotation). GexSi1-x bi-atomic terrace edge is more straight than Si one.
作者及机构信息
崔堑,

黄绮,

陈弘,

周均铭

1.
Authors and contacts
GUI QIAN,

HUANG QI,

CHEN HONG,

ZHOU JUN-MING

1.
参考文献

施引文献

[1]	苏少坚, 张东亮, 张广泽, 薛春来, 成步文, 王启明.Ge(001)衬底上分子束外延生长高质量的Ge1-xSnx合金. 必威体育下载 , 2013, 62(5): 058101.doi:10.7498/aps.62.058101
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[13]	周国良；盛篪；樊永良；蒋维栋；俞鸣人.Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究. 必威体育下载 , 1991, 40(7): 1121-1128.doi:10.7498/aps.40.1121
[14]	周国良, 沈孝良, 盛篪, 蒋维栋, 俞鸣人.GexSi1-x/Si超晶格的X射线小角衍射分析. 必威体育下载 , 1991, 40(1): 56-63.doi:10.7498/aps.40.56
[15]	田亮光, 朱南昌, 陈京一, 李润身, 许顺生, 周国良.高完整GexSi1-x/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究. 必威体育下载 , 1991, 40(3): 441-448.doi:10.7498/aps.40.441
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[18]	陈可明, 周铁城, 樊永良, 盛篪, 俞鸣人.电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的影响. 必威体育下载 , 1990, 39(12): 1937-1944.doi:10.7498/aps.39.1937
[19]	陈可明, 金高龙, 盛篪, 周国良, 蒋维栋, 张翔九, 俞鸣人.Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察. 必威体育下载 , 1990, 39(2): 237-244.doi:10.7498/aps.39.237
[20]	周国良, 陈可明, 田亮光.在Si衬底上用分子束外延低温生长Ge薄膜. 必威体育下载 , 1988, 37(10): 1607-1612.doi:10.7498/aps.37.1607

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