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摘要

通过对非晶Ni和Si多层组分调制膜(ML)中Ni和Si互扩散规律的原位X射线衍射法研究,考察了金属Ni在非晶Si(a-Si)中的扩散现象。得到了较低温度下Ni在非晶Si中扩散系数及规律,并且提出了Ni在a-Si中受非平衡缺陷延迟的间隙扩散机制。这个扩散模型较好地解释了Ni在a-Si中的扩散。
Abstract
he diffusion mechanism of the Ni in amorphous Si was studied by in situ X-ray diffraction technique in amorphous Ni/Si multilayer. The temperature dependent diffusivity of Ni in amorphous Si was obtained in the form of Arrheneius relationship. A trap-retarded interstitial diffusion mechanism is suggested to explain the diffusion process of Ni in amorphous Si.
作者及机构信息
汪卫华²,

白海洋²,

陈红²,

张云²,

王文魁¹
Authors and contacts
WANG WEI-HUA²,

BAI HAI-YANG²,

ZHANG YUN²,

CHEN HONG²,

WANG WEN-KUI¹
参考文献

施引文献

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