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应变的GexSi1-x层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长的p型Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移,阱宽为15nm,考虑到电场的影响和量子阱中第一子能级的位置,对从DLTS得到的热发射能进行适当的修正,可以计算出Si/Ge0.25Si0.75/S
Abstract
The band offset between strained GexSi1-x and unstrained Si is mainly due to the valence band offset ΔEv. The thermal emission energy from a quantum well is related to the appropriate band offset. The single quantum well (p type Si/Ge0.25Si0.75/Si) samples were grown by molecular beam epitaxy (MBE), the width of quantum well is 15nm. Deep leve transient spectroscopy (DLTS) measurement have been used to study the valence band offset. After considering the band bending due to the electric field and the first subband energy, the valence band offset ΔEv of the single quantum well was estimated as about 0.19eV, it is in reasonable agreement with theoretical results. The same and difference of emission and capture processess between quantum well and deep level defects were discussed.
作者及机构信息
李先皇,

陆昉,

孙恒慧

1.

基金项目:国家自然科学基金资助的课题
Authors and contacts
LI XIAN-HUANG,

LU FANG,

SUN HENG-HUI

1.
参考文献

施引文献

[1]	戴显英, 杨程, 宋建军, 张鹤鸣, 郝跃, 郑若川.应变Ge/Si1-xGex 价带色散模型. 必威体育下载 , 2012, 61(13): 137104.doi:10.7498/aps.61.137104
[2]	张姗, 胡晓宁.Si基碲镉汞光伏探测器的深能级研究. 必威体育下载 , 2011, 60(6): 068502.doi:10.7498/aps.60.068502
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[5]	林峰, 盛篪, 柯炼, 朱建红, 龚大卫, 张胜坤, 俞敏峰, 樊永良, 王迅.导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质. 必威体育下载 , 1998, 47(7): 1171-1179.doi:10.7498/aps.47.1171
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[9]	徐至中.势垒区δ掺杂量子阱Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7的子带间跃迁光吸收系数. 必威体育下载 , 1996, 45(10): 1762-1770.doi:10.7498/aps.45.1762
[10]	杨宇, 卢学坤, 黄大鸣, 蒋最敏, 杨敏, 章怡, 龚大卫, 陈祥君, 胡际璜, 张翔九, 赵国庆.Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究. 必威体育下载 , 1995, 44(6): 995-1002.doi:10.7498/aps.44.995
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[13]	高山虎, 张云, 荀坤, 赵汝光, 杨威生.用可调探深的电子能量损失谱研究Sn/Si界面. 必威体育下载 , 1993, 42(8): 1290-1296.doi:10.7498/aps.42.1290
[14]	乔皓, 徐至中, 张开明.形变Si,Ge中的深能级. 必威体育下载 , 1993, 42(11): 1830-1835.doi:10.7498/aps.42.1830
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[16]	叶令, 张开明.用总能量密度泛函集团方法研究I/Si(111)及I/Ge(111)表面吸附. 必威体育下载 , 1987, 36(1): 47-53.doi:10.7498/aps.36.47
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[18]	张仿清, 徐希翔, 陈光华, 蒋致诚, 陈正石, 齐尚奎.用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性. 必威体育下载 , 1986, 35(9): 1253-1258.doi:10.7498/aps.35.1253
[19]	金晓峰, 丰意青, 庄承群, 王迅.用热脱附谱研究氢在Si(100)清洁表面的吸附. 必威体育下载 , 1984, 33(6): 747-754.doi:10.7498/aps.33.747
[20]	鲍庆成, 王启明, 彭怀德, 朱龙德, 高季林.用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心. 必威体育下载 , 1983, 32(9): 1220-1226.doi:10.7498/aps.32.1220

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