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摘要

采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P2S5/NH4OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组分。XPS测量分析指出,经过P2S5/NH4OH溶液处理后,GaAs表面处Ga2O3和As2O3
Abstract

The microscopic characteristics of the GaAs(100) surface treated with P2S5/NH4OH solution has been investigated by Auger electron spectroscopy (AES) and X-ray photoemission spectroscopy(XPS). AES reveals that only phosphorus and sulfur, but no oxygen, are contain-ed in the interface between passivation film and GaAs substrate. Using XPS, it is found that both Ga2O3 and As2O3 on the GaAs surface are removed by the P2S5/NH4OH treatment, moro-ver, gallium sulfide and arsenic sulfide are formed. The passivation film results in a reduction of surfacer state density and improving both electronic and optical properties of GaAs surface.
作者及机构信息

钟战天,

罗文哲,

牟善明,

张开颜,

李侠,

李承芳

1.
Authors and contacts

ZHONG ZHAN-TIAN,

LUO WEN-ZHE,

MOU SHAN-MING,

ZHANG KAI-YAN,

LI XIA,

LI CHENG-FANG

1.
参考文献

施引文献

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