用化学侵蚀法对硅单晶中的退火多边化进行了实验研究。研究了多边化过程及其与退火温度的关系。根据实验数据求出硅中位错攀移激活能,发现形变时产生双滑移系退火而不形成多边化墙的主要原因,并非由于形成Lomer-Cottrell位错。